СВЧ-приборы и интегральные микросхемы

В данном пособии излагаются физические принципы создания
на границе гетероперехода, между широкозонным и узкозонным полупроводниковыми материалами, слоя двумерного электронного газа.
Рассматриваются причины увеличения подвижности электронов и как
следствие расширения частотного диапазона работы полевых  транзисторов.
Изучаются принципы работы полевых транзисторов с селективным
легированием, их конструкции и методы управления концентрацией
электронов в канале. Приводятся примеры расчета концентрации
электронов, вольт - амперных и частотных характеристик СЛГТ