Основы математического моделирования
- Год
- 2014
- Библиотечный номер
- 2390
- Авторы
- Юрчук С.Ю.
- Предмет
- Электроника
- Специальность/направление
- Электроника и наноэлектроника
- Вид методического издания
- учебное пособие
- Артикул
- 000213
В учебном пособии описаны основные математические модели современных технологических процессов полупроводниковой электроники: диффузии, ионной имплантации, термического окисления и импульсного отжига. Представлены методики решения основных уравнений и способы проведения процесса моделирования с целью разработки топологии современных структур микро- и наноэлектроники. Дана информация о широко используемых в настоящее время физических моделях технологических процессов электроники, их возможностях и ограничениях. Большое внимание уделено описанию параметров математических моделей, позволяющих получать реалистичные результаты моделирования, хорошо совпадающие с экспериментальными. Учебное пособие предназначено для освоения студентами методов математического моделирования основных технологических процессов изготовления микроэлектронных полупроводниковых приборов и интегральных схем, а также изучения современных моделей процессов электроники. Пособие позволит студентам более глубоко усвоить лекционный материал при подготовке к практическим занятиям и окажет помощь при выполнении домашних заданий и курсовых работ. Предназначено для бакалавров, обучающихся по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника»
Формат | А5 |
---|---|
Переплет | КБС |
Аудитория | Студенты |
Кафедра | Кафедра полупроводниковой электроники и физики полупроводников |
Издательство | Издательский Дом НИТУ "МИСиС" |
Библиотечн. номер | 2390 |
ISBN | 978-5-87623-811-5 |