Микро и нанотехнологии пленочных гетерокомпозиций
- Год
- 2008
- Библиотечный номер
- 1370
- Авторы
- Кузнецов Г.Д., Симакин С.Б., Демченкова Д.Н.
- Предмет
- Электроника
- Специальность/направление
- Электроника и микроэлектроника; нанотехнологии; нанотехнологии в электронике; наноматериалы
- Вид методического издания
- курс лекций
- Артикул
- 000761
В курсе лекций рассматриваются принципы построения, организации и
функционирования наноразмерных гетерокомпозиций, физико-химические основы метода Ленгмюра – Блоджетт, ионно-плазменного получения пленок аморфного гидрогенизированного кремния, проблемы деградации параметров пленочных структур. Анализируются эффекты размерного квантования в полупроводниковых наноструктурах, закономерности ионно-плазменного получения пленок нитридов металлов и карбида кремния, а также формирования топологии микросхем с применением неразрушающих методов контроля. Обсуждаются и анализируются особенности технологии молекулярно-пучковой и МОС-гидридной эпитаксии полупроводниковых соединений. Излагаются основы синтеза сверхрешеток алмазоподобных широкозонных материалов и структурно-ориентационного изоморфизма. Приводятся примеры создания микро- и наноразмерных приборов микросистемной техники с использованием ионных процессов. Содержание курса лекций соответствует программе. Предназначен для студентов (бакалавров и магистров), обучающихся по направлениям 210100 «Электроника и микроэлектроника», 210600 «Нанотехнология», 210601 «Нанотехнология в электронике» и по специальности 210602 «Наноматериалы»
функционирования наноразмерных гетерокомпозиций, физико-химические основы метода Ленгмюра – Блоджетт, ионно-плазменного получения пленок аморфного гидрогенизированного кремния, проблемы деградации параметров пленочных структур. Анализируются эффекты размерного квантования в полупроводниковых наноструктурах, закономерности ионно-плазменного получения пленок нитридов металлов и карбида кремния, а также формирования топологии микросхем с применением неразрушающих методов контроля. Обсуждаются и анализируются особенности технологии молекулярно-пучковой и МОС-гидридной эпитаксии полупроводниковых соединений. Излагаются основы синтеза сверхрешеток алмазоподобных широкозонных материалов и структурно-ориентационного изоморфизма. Приводятся примеры создания микро- и наноразмерных приборов микросистемной техники с использованием ионных процессов. Содержание курса лекций соответствует программе. Предназначен для студентов (бакалавров и магистров), обучающихся по направлениям 210100 «Электроника и микроэлектроника», 210600 «Нанотехнология», 210601 «Нанотехнология в электронике» и по специальности 210602 «Наноматериалы»
Формат | А5 |
---|---|
Переплет | КБС |
Аудитория | Студенты |
Кафедра | Кафедра технологии материалов электроники |
Издательство | Издательский Дом НИТУ "МИСиС" |
Библиотечн. номер | 1370 |