Гетероструктурная наноэлектроника
- Год
- 2009
- Библиотечный номер
- 1362
- Авторы
- Ковалев А.Н.
- Предмет
- Электроника
- Специальность/направление
- Микроэлектроника и твердотельная микроэлектроника; электроника и микроэлектроника
- Вид методического издания
- учебное пособие
- Артикул
- 000760
Пособие посвящено анализу нового направления электроники – гетероструктурной наноэлектронике. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией и охватывающего разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Даны примеры реализации полевых и биполярных транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV с субмикронными размерами активных областей. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен созданием фотоприемников и источников излучения в диапазоне длин волн 1,3…1,5 мкм. Предназначено для студентов, обучающихся по специальности «Микроэлектроника и твердотельная микроэлектроника» и направлению «Электроника и микроэлектроника»
Формат | А5 |
---|---|
Переплет | КБС |
Аудитория | Студенты |
Кафедра | Кафедра технологии материалов электроники |
Издательство | Издательский Дом НИТУ "МИСиС" |
Библиотечн. номер | 1362 |