Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения. Основы радиационной стойкости изделий электронной техники космического применения
- Год
- 2011
- Библиотечный номер
- 1896
- Авторы
- Таперо К.И.
- Предмет
- Электроника
- Специальность/направление
- Электроника и наноэлектроника; микроэлектроника и твердотельная электроника
- Вид методического издания
- курс лекций
- Артикул
- 000540
В курсе лекций по дисциплине «Основы радиационной стойкости изделий электронной техники космического применения» рассмотрены следующие вопросы: основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с полупроводниками; изменение электрофизических параметров биполярных приборных структур вследствие введения структурных дефектов при радиационном облучении; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики полупроводниковых приборов и микросхем; особенности деградации биполярных приборов и микросхем при воздействии низкоинтенсивного ионизирующего излучения; одиночные события в изделиях электроники и микроэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц космического пространства; численное моделирование радиационных эффектов в кремниевых приборах при воздействии ионизирующего излучения космического пространства. Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника» и по специальности 210104 «Микроэлектроника и твердотельная электроника»
Формат | А5 |
---|---|
Переплет | КБС |
Аудитория | Студенты |
Кафедра | Кафедра полупроводниковой электроники и физики полупроводников |
Издательство | Издательский Дом НИТУ "МИСиС" |
Библиотечн. номер | 1896 |
ISBN | 978-5-87623-415-5 |