Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов ИС и БИС. Раздел. Проектирование и расчет КМОП-схем с коротким каналом
- Год
- 2000
- Библиотечный номер
- 1534
- Авторы
- Ладыгин Е.А., Мурашев В.Н., Лагов П.Б.
- Предмет
- Инженерное дело
- Специальность/направление
- Микроэлектроника и полупроводниковые приборы
- Вид методического издания
- Учебное пособие по курсовому проектированию для студентов специальности 2002.00
- Артикул
- 001461
В пособии представлен метод расчета и анализа параметров КМОП-схем с минимальными топологическими размерами 1,25 мкм; учтен ряд основных параметров и физических эффектов, существенных для МОП-транзистора с коротким каналом: концентрация примеси в подложке, снижение потенциального барьера под действием стока, эффекты горячих электронов, пробивное напряжение переходов, насыщение скорости носителей и т.д. В пособии показано, как с помощью достаточно простых аналитических выражений можно определить базовые конструктивно-технологические параметры ИС и рассчитать динамические параметры весьма близкие к тем, которые дает более детальное моделирование по пакетам программ схемотехнического моделирования MicroCap и PSPIСE. Предполагается, что студенту известны физические принципы работы МОП-транзисторов, и поэтому они не рассматриваются
Формат | А5 |
---|---|
Переплет | Мягкий |
Аудитория | Студенты |
Кафедра | Кафедра полупроводниковой электроники и физики полупроводников |
Издательство | Издательский Дом НИТУ "МИСиС" |
Библиотечн. номер | 1534 |