Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет

В пособии кратко изложены современные теоретические представления об образовании первичных дефектов в объеме полупроводника, приведены формулы для расчета основных электрофизических параметров монокристаллических полупроводников при воздействии быстрых частиц и гамма-квантов в широком диапазоне энергий. Цель пособия заключается в приобретении практических навыков выполнения расчета полного числа неравновесных смещений атомов в единице объема полупроводникового монокристалла при облучении различными видами частиц и гамма-квантов надпороговых энергий. Приведены точные значения фундаментальных физических констант, необходимых для расчетов, а также наглядные графические зависимости рассчитываемых параметров от условий облучения для кремния, которые полезно использовать для самопроверки результатов расчета. Пособие предназначено для студентов специальности 200100 «Микроэлектроника и твердотельная электроника», выполняющих курсовые работы по дисциплине «Основы лучевой технологии микроэлектроники», а также пособие будет полезно студентам, аспирантам и специалистам, выполняющим дипломные и научно-исследовательские работы в области радиационной физики, материаловедения, технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем